抗硫化抗高压的存储器储存装置
授权
摘要

本实用新型涉及一种抗硫化抗高压的存储器储存装置,包含:印制电路板;存储器单元,设置于该印制电路板;连接接口,设置于该印制电路板且电连接于该存储器单元,用以连接到主机系统;抗硫化抗高压被动元件,设置于该印制电路板且电连接于该连接接口及该存储器单元,该抗硫化抗高压被动元件具有曲折的导电路径以拉长电极间的距离、缓慢倾斜电位倾度,避免高压突波对芯片造成损伤。通过抗硫化抗高压被动元件的设置,本实用新型的抗硫化抗高压的存储器储存装置能适用于户外的环境。

基本信息
专利标题 :
抗硫化抗高压的存储器储存装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020264091.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-06
授权号 :
CN210925498U
授权日 :
2020-07-03
发明人 :
郭熙霖王威祥
申请人 :
十铨科技股份有限公司
申请人地址 :
中国台湾新北市中和区建一路166号3楼
代理机构 :
上海智信专利代理有限公司
代理人 :
王洁
优先权 :
CN202020264091.0
主分类号 :
G11B33/14
IPC分类号 :
G11B33/14  
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11B
基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储
G11B33/00
本小类其他各组中不包含的结构部件、零部件或附件
G11B33/14
减小物理参数影响的,例如温度变化、湿度、灰尘
法律状态
2020-07-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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