一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路，属于集成电路、电路抗辐射加固技术领域。该电路包括上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络，其中，上拉网络、下拉网络和源衬电压设置网络共用输入端，上拉网络的电源端口和衬底的电压由源衬电压设置网路提供，下拉网路的接地端口和衬底的电压同样由源衬电压设置网络提供，上拉网络和下拉网络相连形成输出端口。本实用新型不仅能够完成普通CMOS集成电路的逻辑功能，还具备高性能的抗单粒子效应的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种CMOS集成电路抗单粒子效应加固电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922171793.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-06
授权号 ：
CN210578492U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
武唯康廖春连常迎辉李斌刘长龙田素雷
申请人 ：
中国电子科技集团公司第五十四研究所
申请人地址 ：
河北省石家庄市中山西路589号中国电子科技集团公司第五十四研究所微系统中心
代理机构 ：
河北东尚律师事务所
代理人 ：
王文庆
优先权 ：
CN201922171793.4
主分类号 ：
H03K19/003
IPC分类号 ：
H03K19/003 H03K19/0948
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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