本发明公开了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，涉及存储领域，所述单粒子注入方法，适用于单粒子注入设备，所述单粒子注入设备结构包括主机以及至少一个单粒子注入装置，包括：主机接收启动指令，并将启动指令传递至单粒子注入装置，响应于所述启动指令，至少一个单粒子注入装置产生场效应，并将所述场效应传递至接收目标，响应于所述场效应，接收目标电位状态发生转变。可见，本发明的实施例提供了一种单粒子注入方法及单粒子注入设备，通过单粒子注入装置对接收目标释放并传递场效应，通过场效应诱发接收目标的半导体器件电位状态高低状态的转变。并且对场效应释放以及强度和周期可以根据需求控制，以实现人工单粒子注入。