一种提高开启可控性的IGBT器件结构
授权
摘要
本申请涉及半导体制造领域，特别是一种能有效解决传统IGBT开启可控性较差的提高开启可控性的IGBT器件结构，包括N‑型基区，N‑型基区内设置有沟槽型栅极区，沟槽型栅极区包括栅氧层、多晶栅和栅电极，多晶栅位于栅氧层的内部，栅电极位于多晶栅上表面并连接多晶栅；N‑型基区的左上部和右上部设置有P型重掺杂区，N‑型基区内部表层设置有N型重掺杂区，其位于P型深掺杂区的部分被刻蚀工艺分离。本申请所述P型深掺杂区，未与沟槽形栅极区相连接，在栅极加压开启过程中，在沟槽下方不易形成连接P型基区与P型深掺杂区的反型沟道，P型深掺杂区的浮空电势在开启过程中变化率变小，因此对栅极区的影响减小，提高了栅极电压的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高开启可控性的IGBT器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020383033.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-24
授权号 ：
CN211455691U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
马克强金涛秦潇峰蒋兴莉王思亮
申请人 ：
成都森未科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区天府大道北段1480号6栋4层405号
代理机构 ：
成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
苏丹
优先权 ：
CN202020383033.X
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
