可提高GaN器件可靠性的器件结构
授权
摘要
本实用新型提供一种可提高GaN器件可靠性的器件结构，包括GaN器件核心，在所述GaN器件核心内形成二维电子气，在所述GaN器件核心的周围从上表面至少刻蚀到二维电子气所在层以下形成第一沟槽，所述第一沟槽构成环槽并将所述GaN器件核心包围，在所述第一沟槽内填充有金属。本实用新型可避免微观裂纹的扩张。
基本信息
专利标题 ：
可提高GaN器件可靠性的器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020474428.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-02
授权号 ：
CN211455693U
授权日 ：
2020-09-08
发明人 ：
刘春利
申请人 ：
深圳镓华微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区丽山路10号桑泰大厦903室
代理机构 ：
深圳市鼎智专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
唐玲玲
优先权 ：
CN202020474428.0
主分类号 ：
H01L29/778
IPC分类号 ：
H01L29/778 H01L29/10
法律状态
2020-09-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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