一种改善半导体器件可靠性的结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种改善半导体器件可靠性的结构，该半导体器件具有金属线层，该金属线层的表面覆盖保护层；金属线层侧壁与保护层之间具有能够提高金属线层与保护层之粘附性的粘附层。它具有如下优点：金属线层侧壁和保护层之间具有较好的黏附性及结合紧密性，改善半导体器件的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种改善半导体器件可靠性的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020206245.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-25
授权号 ：
CN211428157U
授权日 ：
2020-09-04
发明人 ：
蔡文必郭佳衢魏鸿基
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
厦门市首创君合专利事务所有限公司
代理人 ：
张松亭
优先权 ：
CN202020206245.0
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-09-04 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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