高可靠性上下结构的SGT器件
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种高可靠性上下结构的SGT器件。其包括具有第一导电类型的半导体基板以及制备于半导体基板漂移区的元胞区，所述元胞区内的元胞采用沟槽结构；在所述SGT器件的俯视平面上，元胞区内的元胞包括方环状的元胞外围沟槽以及位于所述元胞外围沟槽内圈中心区的元胞中心处沟槽；在元胞中心处沟槽的外圈设置第二导电类型基区，第二导电类型基区在漂移区内位于元胞中心处沟槽、元胞外围沟槽相应槽底的上方，且第二导电类型基区与元胞中心处沟槽的外侧壁以及元胞外围沟槽内圈的外侧壁接触；本发明能有效减少由于横向方向与纵向方向应力不同引起的翘曲，并能有减少漂移区耐压BV差异导致的耐压可靠性。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性上下结构的SGT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497188A
申请号 ：
CN202210081782.0
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-01-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨飞吴凯张广银朱阳军
申请人 ：
南京芯长征科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市苏源大道19号九龙湖国际企业总部园A2座（江宁开发区）
代理机构 ：
苏州国诚专利代理有限公司
代理人 ：
韩凤
优先权 ：
CN202210081782.0
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/423 H01L29/78
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20220124
申请日 : 20220124
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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