高可靠性二极管器件
授权
摘要

本实用新型公开一种高可靠性二极管器件,包括由环氧封装体包覆的芯片基板、芯片组和连接片,所述连接片的下表面自环氧封装体中裸露出,所述芯片组的下表面与连接片的上表面焊接连接,所述芯片组的上表面与连接片的一端连接,所述连接片的另一端自环氧封装体内延伸出,所述芯片组进一步包括至少两颗芯片和位于相邻芯片之间的金属片。本实用新型优化了产品厚度方向的内部空间,通过封装多层叠加的芯片,提升了产品的最大功率密度。

基本信息
专利标题 :
高可靠性二极管器件
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021460459.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-22
授权号 :
CN213242558U
授权日 :
2021-05-18
发明人 :
吴炆皜何洪运郝艳霞刘玉龙
申请人 :
苏州固锝电子股份有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市新区通安经济开发区通锡路31号
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
马明渡
优先权 :
CN202021460459.7
主分类号 :
H01L29/861
IPC分类号 :
H01L29/861  H01L23/31  H01L25/07  
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法律状态
2021-05-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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