高可靠性发光二极管
实质审查的生效
摘要
提供一种高可靠性发光二极管。发光二极管，包括：第一导电型半导体层；台面，布置在第一导电型半导体层上，并且包括第二导电型半导体层以及布置在第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；欧姆反射层，布置在台面上而与第二导电型半导体层欧姆接触；下部绝缘层，覆盖台面以及欧姆反射层，并且局部地暴露第一导电型半导体层以及欧姆反射层；第一焊盘金属层，布置在下部绝缘层上，并且与第一导电型半导体层电连接；金属反射层，布置在下部绝缘层上，并且与第一焊盘金属层在水平方向上相隔；以及上部绝缘层，覆盖第一焊盘金属层以及金属反射层，并且具有暴露第一焊盘金属层的开口部，金属反射层的至少一部分覆盖台面的侧表面。
基本信息
专利标题 ：
高可靠性发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388674A
申请号 ：
CN202210050788.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2017-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴世熙金贤儿李俊燮姜珉佑林亨镇
申请人 ：
首尔伟傲世有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道安山市
代理机构 ：
北京铭硕知识产权代理有限公司
代理人 ：
李盛泉
优先权 ：
CN202210050788.1
主分类号 ：
H01L33/44
IPC分类号 ：
H01L33/44 H01L33/46 H01L33/60 H01L33/62 H01L33/64 H01L27/15
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/44
申请日 : 20171011
申请日 : 20171011
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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