栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
专利权的终止
摘要
在本发明中，在形成DRAM中的栅极绝缘膜的情况下，对成为栅极绝缘膜的基底的氧化膜实施等离子体氮化处理。通过使用着形成有多个通孔的平板天线的微波等离子体进行等离子体氮化处理。由等离子体氮化处理所形成的栅极绝缘膜中的氮浓度为5～20％原子浓度。随后即使不进行退火处理也可以在DRAM中有效地防止硼穿透现象，并且抑制成为器件驱动能力降低的原因的膜中的阱。
基本信息
专利标题 ：
栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101044626A
申请号 ：
CN200580036152.6
公开（公告）日 ：
2007-09-26
申请日 ：
2005-10-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
西田辰夫石塚修一藤野丰中西敏雄佐藤吉宏
申请人 ：
东京毅力科创株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
龙淳
优先权 ：
CN200580036152.6
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L21/31 H01L21/8242 H01L27/08 H01L21/318
法律状态
2015-12-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101638239228
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005800361526
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20120125
终止日期 : 20141027
号牌文件序号 : 101638239228
IPC(主分类) : H01L 29/78
专利号 : ZL2005800361526
申请日 : 20051027
授权公告日 : 20120125
终止日期 : 20141027
2012-01-25 ：
授权
2007-11-21 ：
实质审查的生效
2007-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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