具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片
授权
摘要
一种具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片，包括：一晶片本体；其包括源极、闸极及汲极；该碳化硅V型金氧半导体场效晶体(VMOSFET)晶片的源极及闸极配置在该晶片本体的上方，而该VMOSFET晶片的汲极则配置在下方；以及其中该闸极的面积大于3mm×3mm；此面积使得该碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片可以承受相当大的电流，而且外接的导线可以很容易地安装到该闸极上。
基本信息
专利标题 ：
具大电流及双闸极的碳化硅V型金氧半导体场效晶体晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021688890.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-13
授权号 ：
CN212783461U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
张稚菱
申请人 ：
奈沛米(上海)半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区泥城镇云汉路979号2楼
代理机构 ：
北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
何佳
优先权 ：
CN202021688890.7
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/08 H01L29/10
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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