单一金属闸极互补式金氧半导体元件
授权
摘要
本发明是有关于一种单一金属闸极互补式金氧半导体元件。依据本发明的一种半导体元件，包含在基板结构上形成p－型金氧半导体电晶体，p－型金氧半导体电晶体包含位于基板结构上的源极/汲极及其扩散区域、定义于源极与汲极之间的通道区域、覆盖于通道区域上的闸介电层及位于闸介电层上的闸极。相对于半导体基板而言，闸极是利用具有n－型功函数的材料形成，并处理闸极使闸极相对于半导体基板而言具有中能隙型或p－型功函数。本发明提供了一种利用单一金属来形成闸极的互补金氧半导体元件及其制造方法，适用于形成n－型金氧半导体电晶体及p－型金氧半导体电晶体。
基本信息
专利标题 ：
单一金属闸极互补式金氧半导体元件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828937A
申请号 ：
CN200610002787.0
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王志豪陈尚志蔡庆威
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610002787.0
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/49 H01L27/092
法律状态
2011-04-06 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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