多层金属层半导体元件及其制造方法
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摘要
本发明是有关于一种多层金属层半导体元件及其制造方法。该多层金属层半导体元件包括：一第一金属层；一第一蚀刻中止层；一第一绝缘层；一第二金属层；一第二蚀刻中止层；一第二绝缘层；及一第三金属层。该制造方法包括：形成一第一金属层；形成一第一蚀刻中止层覆盖于该第一金属层上；形成一第一绝缘层覆盖于该第一蚀刻中止层上；形成一第二金属层覆盖于该第一绝缘层上；形成一第二蚀刻中止层覆盖于该第二金属层上；形成一第二绝缘层覆盖于该第二蚀刻中止层上；及形成一第三金属层覆盖于该第二绝缘层上，其中该第二蚀刻中止层和该第一蚀刻中止层对于相邻的膜层具有不同强度的附着力。本发明可减缓置放于半导体元件膜层上的结构的机械应力效应。
基本信息
专利标题 ：
多层金属层半导体元件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1855473A
申请号 ：
CN200610065350.1
公开（公告）日 ：
2006-11-01
申请日 ：
2006-03-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄泰钧姚志翔纪冠守夏劲秋梁孟松
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
代理机构 ：
北京中原华和知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
寿宁
优先权 ：
CN200610065350.1
主分类号 ：
H01L23/522
IPC分类号 ：
H01L23/522 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
法律状态
2008-04-02 ：
授权
2006-12-27 ：
实质审查的生效
2006-11-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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