具有欧米加栅的半导体器件及制造半导体器件的方法
专利权的终止
摘要
一种具有有源区的基板，所述有源区分成存储节点接触结区、沟道区以及位线接触结区。器件隔离层在所述基板中形成，将所述有源区自相邻有源区隔离。凹陷图案每个以沟槽结构形成，且自存储节点接触结区延伸到沟道区。线型栅图案，每个填充单独凹陷图案的沟槽的预定部分，在与单独沟道区的上部中的有源区的主轴交叉的方向上形成。
基本信息
专利标题 ：
具有欧米加栅的半导体器件及制造半导体器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822371A
申请号 ：
CN200510097532.2
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2005-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
裵相满
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
杨红梅
优先权 ：
CN200510097532.2
主分类号 ：
H01L27/108
IPC分类号 ：
H01L27/108 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/10
在重复结构中包括有多个独立组件的
H01L27/105
包含场效应组件的
H01L27/108
动态随机存取存储结构的
法律状态
2015-02-25 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101599918945
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100975322
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20131230
号牌文件序号 : 101599918945
IPC(主分类) : H01L 27/108
专利号 : ZL2005100975322
申请日 : 20051230
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20131230
2009-06-17 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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