结型半导体装置的制造方法
专利权的终止
摘要
结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。
基本信息
专利标题 ：
结型半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1838390A
申请号 ：
CN200610065382.1
公开（公告）日 ：
2006-09-27
申请日 ：
2006-03-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
野中贤一桥本英喜横山诚一岩永健介齐藤吉三岩黑弘明清水正章福田祐介西川恒一前山雄介
申请人 ：
本田技研工业株式会社;新电元工业株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
黄纶伟
优先权 ：
CN200610065382.1
主分类号 ：
H01L21/337
IPC分类号 ：
H01L21/337
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/337
带有PN结栅的
法律状态
2015-05-13 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101609139631
IPC(主分类) : H01L 21/337
专利号 : ZL2006100653821
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20140323
号牌文件序号 : 101609139631
IPC(主分类) : H01L 21/337
专利号 : ZL2006100653821
申请日 : 20060323
授权公告日 : 20090610
终止日期 : 20140323
2009-06-10 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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