本发明涉及一种实现半导体器件局域寿命控制的方法，包括以下步骤：在未金属化的半导体器件的第一表面覆盖杂质源，杂质源为具有复合中心效应的元素或含有所述元素的物质；根据预设扩散深度、杂质源的扩散系数和固溶度随温度的变化曲线，获得补余误差函数的参数；根据补余误差函数的参数，获得扩散温度和时间；根据扩散温度和时间，将复合中心原子扩散至半导体器件中的目标扩散深度；去除杂质源；快速热退火处理半导体器件，完成复合中心原子的电激活。本发明不需要氦离子注入机等设备，仅通过铂、金等复合中心原子扩散实现局域寿命控制，比传统的全局寿命控制具有导通压降低的优点，具有更好的正向性能和切换性能折中优值。