内存控制器及其控制方法
实质审查的生效
摘要
一种内存控制器用于存取多个NAND内存晶粒(dies)。内存控制器包括内部存储器、输出选择电路、控制电路及数据存取电路。内部存储器用于储存所述NAND内存晶粒对应的多组存取设置值。输出选择电路耦接于内部存储器，用于根据输出选择信号选定一NAND内存晶粒的一组存取设置值。控制电路耦接于输出选择电路，用于当存取所述NAND内存晶粒时，产生输出选择信号。数据存取电路耦接于输出选择电路，用于根据该组存取设置值，存取NAND内存晶粒。
基本信息
专利标题 ：
内存控制器及其控制方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114550775A
申请号 ：
CN202011328277.9
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-11-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
洪武王道富荆永鹏
申请人 ：
瑞昱半导体股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学园区创新二路2号
代理机构 ：
北京市君合律师事务所
代理人 ：
毕长生
优先权 ：
CN202011328277.9
主分类号 ：
G11C16/10
IPC分类号 ：
G11C16/10 G11C16/26
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C16/00
可擦除可编程序只读存储器
G11C16/02
电可编程序的
G11C16/04
使用可变阀值晶体管的，例如，FAMOS
G11C16/10
编程或数据输入电路
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 16/10
申请日 : 20201124
申请日 : 20201124
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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