一个离子束注入系统
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种离子束注入系统，包括：一个离子束中和器(10)，高能电子(40)被引导通过离子束中性化区域或含有可电离气体的区域。当高能电了与气体分子碰撞时，电离气体分子产生低能电子，它被带正电的离子束(14)浮获，当高能电子穿过中性化区域后，它们被一圆柱导体(30)和一加速栅极(50)偏转回中性化区域，该圆柱导体(30)被偏置得能偏转高能电子，栅极能加速电子返回束中性化区域。
基本信息
专利标题 ：
一个离子束注入系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1035914A
申请号 ：
CN88108755.6
公开（公告）日 ：
1989-09-27
申请日 ：
1988-12-23
授权号 ：
CN1017949B
授权日 ：
1992-08-19
发明人 ：
马文·法利
申请人 ：
伊顿有限公司
申请人地址 ：
美国克利夫兰
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
付康
优先权 ：
CN88108755.6
主分类号 ：
H01J37/317
IPC分类号 ：
H01J37/317 H01J37/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入
法律状态
2000-02-16 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-11-29 ：
授权
1995-07-05 ：
发明专利公报更正
更正卷 : 9
号 : 47
页码 : 110
更正项目 : 发明事务
误 : 视放公告
正 : 删去
号 : 47
页码 : 110
更正项目 : 发明事务
误 : 视放公告
正 : 删去
1993-11-24 ：
专利权的视为放弃
1992-08-19 ：
审定
1991-04-24 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1989-09-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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