注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法
授权
摘要
本发明提供一种注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法，所述注入剂量控制系统，包括第一接口、第二接口、控制器。该第一接口，其是用以接收一注入离子束的扫描位置数据。该第二接口，其是用以接收该注入离子束的流量数据，其是界定在多个扫描之间的一第一流量值，及在该多个扫描中之一者期间的多个第二流量值。该控制器，其是依据该第一流量值决定一容忍范围，决定是否该第二流量值超过该容忍范围，并计算超过该容忍范围的该第二流量值的数目。本发明所述注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法，可即时侦测离子流量，并根据流量随时调整离子注入量。
基本信息
专利标题 ：
注入剂量控制系统与方法、用离子束进行晶圆注入的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1892987A
申请号 ：
CN200610002904.3
公开（公告）日 ：
2007-01-10
申请日 ：
2006-01-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郑迺汉张钧琳彭文煜
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN200610002904.3
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/425 C30B31/22 H01J37/317
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2009-08-19 ：
授权
2007-03-07 ：
实质审查的生效
2007-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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