无需额外掩模即可对沟槽或FINFET进行注入阻断
公开
摘要
本申请公开了无需额外掩模即可对沟槽或FINFET进行注入阻断。一种制造集成电路的方法，包括在衬底上方形成硬掩模并对其进行图案化(205)，使得图案化的硬掩模暴露衬底的区域。对暴露的区域进行蚀刻(210)，从而形成沟槽和在沟槽之间的半导体鳍。在移除(225)硬掩模之前，形成光致抗蚀剂层并对其进行图案化(215)，从而暴露半导体鳍的一区段。掺杂剂通过硬掩模注入(220)到暴露区段中。
基本信息
专利标题 ：
无需额外掩模即可对沟槽或FINFET进行注入阻断
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388354A
申请号 ：
CN202111209920.0
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M-Y·庄A·阿里
申请人 ：
德克萨斯仪器股份有限公司
申请人地址 ：
美国德克萨斯州
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐东升
优先权 ：
CN202111209920.0
主分类号 ：
H01L21/265
IPC分类号 ：
H01L21/265 H01L21/266 H01L21/8234 H01L27/088
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/26
用波或粒子辐射轰击的
H01L21/263
带有高能辐射的
H01L21/265
产生离子注入的
法律状态
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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