光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
专利权的终止
摘要

本发明提供了一种光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量得到优化的方法。本发明采用分子束外延技术生长的同一块碲镉汞薄膜材料为基底,进行硼(B)离子注入。其主要工艺为:设置阻挡层,在阻挡层上规律地光刻出注入区,制作有隙缝的掩膜板,分别将掩膜板分次叠加在阻挡层上,出露相应的光刻注入区,调整不同的离子剂量叠加式向覆有掩膜板、阻挡层的碲镉汞基底进行注入,最终获得系列单元的p-n结。测量后,得不同单元的电压-电流特性曲线和零偏微分电阻值R0。经比较获得最优的离子注入剂量。本方法大大提高了不同参数的单元间的可比性,有利于对影响探测器性能的参数进行系统研究,试验成本低、节省了时间和精力,使优化研究更方便快捷。

基本信息
专利标题 :
光伏型红外探测器碲镉汞材料离子注入剂量优化方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1812140A
申请号 :
CN200510122955.5
公开(公告)日 :
2006-08-02
申请日 :
2005-12-06
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陈贵宾陆卫全知觉王少伟李志锋
申请人 :
淮阴师范学院
申请人地址 :
223001江苏省淮安市交通路71号
代理机构 :
淮安市科文知识产权事务所
代理人 :
陈静巧
优先权 :
CN200510122955.5
主分类号 :
H01L31/18
IPC分类号 :
H01L31/18  H01L21/66  
法律状态
2012-02-22 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101190112139
IPC(主分类) : H01L 31/18
专利号 : ZL2005101229555
申请日 : 20051206
授权公告日 : 20080709
终止日期 : 20101206
2008-07-09 :
授权
2006-09-27 :
实质审查的生效
2006-08-02 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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