一种可整体植入真空室的离子束源装置
专利权的终止
摘要
一种可整体植入真空室的离子束源装置，其主法兰前侧的放电室后端法兰、放电室筒体、阳极筒、灯丝、离子引出组件及连接件均置于金属外罩中，装在主法兰上的陶瓷电极的后端置于金属后罩中，陶瓷电极与真空引出法兰的连接线用金属软管套住，有效防止了离子束源工作时线间、线地间的打火现象，既满足了大型工件的离子束微细加工的要求，也使设备整体尺寸缩小。
基本信息
专利标题 ：
一种可整体植入真空室的离子束源装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720065470.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-12-17
授权号 ：
CN201134408Y
授权日 ：
2008-10-15
发明人 ：
陈特超
申请人 ：
中国电子科技集团公司第四十八研究所
申请人地址 ：
410111湖南省长沙市天心区新开铺1025号
代理机构 ：
长沙正奇专利事务所有限责任公司
代理人 ：
马强
优先权 ：
CN200720065470.1
主分类号 ：
H01J27/02
IPC分类号 ：
H01J27/02 H01J37/08
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J27/00
离子束管
H01J27/02
离子源；离子枪
法律状态
2018-01-23 ：
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : H01J 27/02
申请日 : 20071217
授权公告日 : 20081015
申请日 : 20071217
授权公告日 : 20081015
2008-10-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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