具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机
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摘要

一种离子布植机的一分析器模组包括与一解析开口相邻的离子束偏转装置,其中一离子束的一末端离子束部分自离子束偏转装置发出。回应于一第一操作条件中的实质上零伏特的一第一值的一离子束偏转电压,离子束偏转装置将离子束的一来源离子束部分导向解析开口以产生末端离子束部分。当离子束偏转电压具有一在一第二操作条件中的高的第二值时,离子束偏转装置将来源离子束部分的种类导离解析开口,以使得末端离子束部分实质上是熄灭的。在第二操作条件过程中操作离子束控制电路以借由自第二值快速地切换离子束偏转电压为第一值而转变离子布植机为第一操作条件。一种布植方法,使用布植机的特点以在布植过程中自跳动回复且借此改良所布植的晶圆的良率。

基本信息
专利标题 :
具有离子束跳动回复的快速离子束偏转的晶圆扫描离子布植机
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN101218658A
申请号 :
CN200680004113.2
公开(公告)日 :
2008-07-09
申请日 :
2006-02-03
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
罗素·J·罗郭登·C·安裘
申请人 :
瓦里安半导体设备公司
申请人地址 :
美国马萨诸塞州
代理机构 :
上海专利商标事务所有限公司
代理人 :
左一平
优先权 :
CN200680004113.2
主分类号 :
H01J37/317
IPC分类号 :
H01J37/317  H01J37/147  H01J37/304  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,例如为了对其检验或加工的
H01J37/30
物体局部处理用的电子束管或离子束管
H01J37/317
用于改变物体的特性或在其上加上薄层的,如离子注入
法律状态
2010-05-19 :
授权
2008-09-03 :
实质审查的生效
2008-07-09 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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