去除相移掩模上生长的杂质的方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
一种除去相移掩模上生长的杂质的方法。该方法通过在清洗之后进一步执行HF清洗和烘焙，有利地控制杂质生长，以使清洗过程中产生的残余化学离子的数量最小化。具体地，该方法包括，在石英衬底上形成包括相移膜和光阻挡膜的相移掩模图形，使用包含硫酸离子或铵离子的溶液清洗在石英衬底上形成的相移掩模图形，使用含水的HF溶液清洗已被清洗的相移掩模图形，以及烘焙利用含水的HF溶液清洗的相移掩模图形。
基本信息
专利标题 ：
去除相移掩模上生长的杂质的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797194A
申请号 ：
CN200510136114.X
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-12-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李俊植
申请人 ：
海力士半导体有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510136114.X
主分类号 ：
G03F7/00
IPC分类号 ：
G03F7/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F7/00
图纹面，例如，印刷表面的照相制版如光刻工艺；图纹面照相制版用的材料，如：含光致抗蚀剂的材料；图纹面照相制版的专用设备
法律状态
2010-02-10 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2006-08-30 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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