掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供具备能够提高对ArF准分子激光的曝光光的透射率、同时能够抑制对于确保期望的相位差而言必要的膜厚的相移膜的掩模坯料。该掩模坯料在透光性基板(1)的主表面上具备相移膜(2)，其中，相移膜(2)含有硅、氧及氮，相移膜(2)的氮的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为0.20以上且0.52以下，相移膜(2)的氧的含量[原子％]相对于硅的含量[原子％]的比率为1.16以上且1.70以下，相移膜(2)在ArF准分子激光的曝光光的波长下的折射率n为1.7以上且2.0以下，消光系数k为0.05以下。
基本信息
专利标题 ：
掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114521245A
申请号 ：
CN202080066119.2
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2020-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宍戸博明前田仁
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
杨薇
优先权 ：
CN202080066119.2
主分类号 ：
G03F1/34
IPC分类号 ：
G03F1/34 G03F1/32 C23C14/10
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
G03F1/34
相边缘PSM,例如无铬PSM；其制备
法律状态
2022-06-07 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/34
申请日 : 20200901
申请日 : 20200901
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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