反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半导体装置的制造...
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摘要
本发明的目的在于提高通过观察DUV光的反射率对比度来进行用于EUV光刻法的反射型光掩模的图案检查时的精度。提供一种在基板(1)上层叠了多层反射膜(2)、光吸收性叠层(4)的反射型光掩模坯料，其中，通过在含有钽和硅的具有EUV光吸收能力的第1光吸收层(41)上层叠含有氮和氧中的至少一种、钽和硅的具有DUV光吸收能力的第2光吸收层(42)来构成光吸收性叠层(4)。
基本信息
专利标题 ：
反射型光掩模坯料、反射型光掩模及使用它的半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101073142A
申请号 ：
CN200580042178.1
公开（公告）日 ：
2007-11-14
申请日 ：
2005-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金山浩一郎松尾正西山泰史
申请人 ：
凸版印刷株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
陈建全
优先权 ：
CN200580042178.1
主分类号 ：
H01L21/027
IPC分类号 ：
H01L21/027 G03F1/16
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
法律状态
2009-01-21 ：
授权
2008-01-09 ：
实质审查的生效
2007-11-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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