光掩模及半导体制造方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开一种光掩模及半导体制造方法。光掩模包括一基板与基板上的一非可印刷图案。非可印刷图案的一图案尺寸小于使用光掩模以进行光刻制作工艺的光刻设备的分辨率临界值。
基本信息
专利标题 ：
光掩模及半导体制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114488684A
申请号 ：
CN202011259051.8
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柯友明
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陈小雯
优先权 ：
CN202011259051.8
主分类号 ：
G03F1/76
IPC分类号 ：
G03F1/76 G03F1/80 H01L21/027
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/68
未包含在G03F1/20至G03F1/50组中的制备工艺
G03F1/76
通过成像的掩膜的图案化
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 1/76
申请日 : 20201112
申请日 : 20201112
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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