多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法

授权

摘要

提供掩模组，该掩模组可以用于在半导体器件的制造过程中限定具有第一间距图形的第一图形区域和具有第二间距图形的第二图形区域。这些掩模组可以包括第一掩模，具有第一曝光区域和第一屏蔽区域，在第一曝光区域中第一半色调图形限定第一图形区域，以及在第一屏蔽区域中第一遮蔽层覆盖第二图形区域。这些掩模组还可以包括第二掩模，具有第二曝光区域和第二屏蔽区域，在第二曝光区域中第二半色调图形限定第二图形区域，在第二屏蔽区域中第二遮蔽层覆盖第一图形区域。第二遮蔽层也从第二屏蔽区域延伸，以覆盖部分第二半色调图形。

基本信息

专利标题：

多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1758138A

申请号：

CN200510113435.8

公开（公告）日：

2006-04-12

申请日：

2005-10-08

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

李斗烈吴锡焕吕起成禹相均李淑朴柱温丁成坤

申请人：

三星电子株式会社

申请人地址：

韩国京畿道

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

林宇清

优先权：

CN200510113435.8

主分类号：

G03F1/14

IPC分类号：

G03F1/14 G03F1/00 H01L21/027