掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法
公开
摘要
掩模坯料(100)在透光性基板(1)上具备遮光膜(2)，其特征在于，遮光膜为由含有硅和氮的材料形成的单层膜，对ArF准分子激光的曝光光的折射率为1.6以上且2.1以下，消光系数为1.6以上且2.1以下，对900nm波长的光的消光系数为0.04以上，厚度为40nm以上且60nm以下。
基本信息
专利标题 ：
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114609856A
申请号 ：
CN202210271059.9
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2017-08-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宍户博明
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
韩锋
优先权 ：
CN202210271059.9
主分类号 ：
G03F1/26
IPC分类号 ：
G03F1/26 G03F1/50 G03F1/54 G03F7/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/26
相移掩膜；PSM空白；其制备
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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