带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模、以及半导...
公开
摘要
本发明提供带多层反射膜的基板，其用于制造具有对曝光光的反射率高、且缺陷检查时的背景水平低的多层反射膜的反射型掩模坯料及反射型掩模。带多层反射膜的基板(110)具备基板(1)和多层反射膜(5)。多层反射膜(5)在基板(1)上由交替层叠低折射率层和高折射率层而成的多层膜形成。多层反射膜(5)含有选自氢(H)、氘(D)及氦(He)中的至少一种添加元素。添加元素在多层反射膜(5)中的原子数密度为0.006atom/nm3以上且0.50atom/nm3以下。
基本信息
专利标题 ：
带多层反射膜的基板、反射型掩模坯料、反射型掩模、以及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114424119A
申请号 ：
CN202080066022.1
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-09-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
中川真德
申请人 ：
HOYA株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
杨薇
优先权 ：
CN202080066022.1
主分类号 ：
G03F1/24
IPC分类号 ：
G03F1/24 G03F1/76
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
G03F1/24
反射掩膜；其制备
法律状态
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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