反射光掩模及其制造方法
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
提供一种反射光掩模，允许在光刻中将用于吸收EUV射线的吸收剂图形的设计形状正确转移到硅晶片，所述光掩模包括：衬底，由反射EUV射线的材料构成、形成在衬底上的反射层，以及通过使用离子注入注入吸收EUV射线的吸收剂的离子形成在反射层上的具有预定图形的离子区段。本发明还提供一种制造反射光掩模的方法。
基本信息
专利标题 ：
反射光掩模及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797192A
申请号 ：
CN200510124778.4
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金锡必宋利宪金元柱张丞爀金勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510124778.4
主分类号 ：
G03F1/14
IPC分类号 ：
G03F1/14 G03F1/00
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法律状态
2010-08-04 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101003707338
IPC(主分类) : G03F 1/14
专利申请号 : 2005101247784
公开日 : 20060705
号牌文件序号 : 101003707338
IPC(主分类) : G03F 1/14
专利申请号 : 2005101247784
公开日 : 20060705
2008-01-23 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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