半透明叠层膜、光掩模坯料、光掩模及其制造方法
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摘要
半透明叠层膜12具有第1半透明膜13和第2半透明膜14的叠层结构，对上述半透明膜的膜厚d、对曝光光的折射率n及消光系数k进行设计，使其一为相位超前膜，另一为相位滞后膜。使相位超前膜的膜厚(nm)为d(+)、折射率为n(+)、消光系数为k(+)，使相位滞后膜的膜厚为d(－)、折射率为n(－)、消光系数为k(－)时，进行设计，使相位超前膜为k (－)＞a1·n(－) +b1，使相位滞后膜为k (－)＜a2·n(－) +b2。系数a及b为a1＝0.113·d (+)+0.774，b1＝－0.116·d(+)－0.281，a2＝0.113·d (－) +0.774，b2＝－0.116·d(－)－0.281。
基本信息
专利标题 ：
半透明叠层膜、光掩模坯料、光掩模及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1815361A
申请号 ：
CN200610001086.5
公开（公告）日 ：
2006-08-09
申请日 ：
2006-01-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉川博树稻月判臣木名濑良纪冈崎智森田元彦佐贺匡
申请人 ：
信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社
申请人地址 ：
日本东京都
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
杨宏军
优先权 ：
CN200610001086.5
主分类号 ：
G03F1/00
IPC分类号 ：
G03F1/00
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
法律状态
2009-12-09 ：
授权
2007-11-07 ：
实质审查的生效
2006-08-09 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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