反射型掩模以及反射型掩模的制造方法
公开
摘要
本发明提供反射型掩模及其制造方法，该反射型掩模具有沿着转印图案的最表面和侧面均匀地形成、且EUV透射率高、耐清洗性高的被覆膜。因此，例如，反射型掩模(10)具备：基板(1)、形成在基板(1)上并反射入射的EUV光的多层反射膜(2)、形成在多层反射膜(2)上的至少一部分并吸收入射的EUV光的吸收层(4)、以及形成在多层反射膜(2)上和吸收层(4)上并透射入射的EUV光的被覆膜(5)，被覆膜(5)对于EUV光的消光系数k为0.04以下、具有对利用清洗液进行清洗的耐性、并且以均匀的膜厚形成在吸收层(4)的表面和侧面。
基本信息
专利标题 ：
反射型掩模以及反射型掩模的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114556209A
申请号 ：
CN202080072898.7
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
市川显二郎合田步美中野秀亮
申请人 ：
凸版印刷株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
常海涛
优先权 ：
CN202080072898.7
主分类号 ：
G03F1/24
IPC分类号 ：
G03F1/24 G03F1/82 C23C16/30 C23C16/34 C23C16/40 C23C16/42
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1/00
用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1/22
用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如X射线掩膜、深紫外掩膜；其制备
G03F1/24
反射掩膜；其制备
法律状态
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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