相移式掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明公开一种相移式掩模，其包含一基板以及多个设置于该基板上的相移图案，其中该相移图案由高分子材料构成且在一第一方向的间距小于该相移图案的宽度。优选地，该相移图案以阵列方式排列而构成多个线状图案，且该线状图案在一第二方向的间距等于该线状图案的宽度。本发明的相移式掩模的制备方法包含形成一高分子层于一基板上、改变多个预定区域内的高分子层的分子结构以及去除该预定区域以外的高分子层以形成多个相移图案等步骤。该高分子材料可为氢硅酸盐、甲基硅酸盐或混成有机硅烷高分子。

基本信息

专利标题：

相移式掩模及其制备方法与制备半导体元件的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1959527A

申请号：

CN200510119308.9

公开（公告）日：

2007-05-09

申请日：

2005-11-03

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

赖义凯

申请人：

茂德科技股份有限公司

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

优先权：

CN200510119308.9

主分类号：

G03F1/00

IPC分类号：

G03F1/00 G03F1/08 G03F7/30 H01L21/027