包括掩模的沉积装置
公开
摘要
本申请涉及沉积装置。沉积装置包括腔室、设置在腔室中的沉积源、掩模组件、以及设置在掩模组件上的基础衬底。掩模组件包括具有框架开口的框架、设置在框架上并包括沉积孔的掩模、以及设置在掩模上的焊条。焊接槽沿着框架的边缘设置，并且在框架的厚度方向上具有深度。焊条与焊接槽重叠。
基本信息
专利标题 ：
包括掩模的沉积装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606462A
申请号 ：
CN202111511396.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙智熙文英慜金载运宋升勇任星淳郑锺铉赵炫珉
申请人 ：
三星显示有限公司
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王达佐
优先权 ：
CN202111511396.2
主分类号 ：
C23C14/04
IPC分类号 ：
C23C14/04 C23C14/24 C23C14/12 H01L21/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/04
局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
