用于气相沉积设备的晶圆承载装置
授权
摘要
一种用于气相沉积设备的晶圆承载装置，包括转轴及旋转盘。转轴用以提供公转，旋转盘连接该转轴，周边辐射状环设多个开口。开口的任一周缘环设一段差部，其周缘环设凹槽，凹槽内分布滚珠，滚珠直径不大于凹槽的宽度，但大于凹槽的深度。环绕凹槽周缘的侧壁上设有传动机构。支撑架固设于段差部上，支撑架顶面中心具有第一结构。晶圆托盘顶面用以承载晶圆，底面中心具有第二结构，用以嵌合支撑架的第一结构，晶圆托盘周檐置放于凹槽上的滚珠上，通过传动机构驱动晶圆托盘旋转。
基本信息
专利标题 ：
用于气相沉积设备的晶圆承载装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111719140A
申请号 ：
CN202010203360.7
公开（公告）日 ：
2020-09-29
申请日 ：
2020-03-20
授权号 ：
CN111719140B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
黄灿华梁佑笙
申请人 ：
汉民科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾台北市大安区敦化南路2段38号14楼
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
郭蔚
优先权 ：
CN202010203360.7
主分类号 ：
C23C16/458
IPC分类号 ：
C23C16/458
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/458
在反应室中支承基体的方法
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-10-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/458
申请日 : 20200320
申请日 : 20200320
2020-09-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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