本发明涉及一种用于调控晶圆外延生长均匀性的装置及方法，该用于调控晶圆外延生长均匀性的装置包括加热炉、托盘、支撑杆、温度传感器、引线及温度控制模块，托盘与支撑杆均安装于加热炉内，托盘用于放置生长晶圆或测温晶圆，支撑杆连接托盘，支撑杆用于驱动托盘转动；温度传感器安装于托盘上，引线的一端连接温度传感器，另一端连接温度控制模块，引线穿设支撑杆，并用粘接剂密封；工作时，生长晶圆或测温晶圆用于放置于温度传感器上。本装置通过温度传感器实时监测生长晶圆或测温晶圆的表面温度，且将监测的温度在线反馈至温度控制模块进行控温，测温和控温精确，确保调控晶圆外延生长的均匀性，实现大尺寸晶圆生长的一致性。