一种N电极下保留外延层的正装晶片
授权
摘要
一种N电极下保留外延层的正装晶片，包括DBR层、衬底、外延层、第一绝缘层、N电极以及P电极，所述DBR层、衬底、外延层由下至上依次设置，所述外延层包括N型层、发光层以及P型层，所述第一绝缘层覆盖在外延层的外表面，所述N电极包括设置在外延层表面的焊盘和设置在焊盘底部并延伸到N型层处的导体，所述导体的截面积小于焊盘的截面积，所述外延层针对导体设置有导孔组，所述导孔组的内壁设置有第二绝缘层。采用上述技术方案，能够有效增加外延层的发光面积，提高晶片的发光亮度。
基本信息
专利标题 ：
一种N电极下保留外延层的正装晶片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123263932.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
CN216648340U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
罗鉴黄巍林德顺翁平杨永发
申请人 ：
鸿利智汇集团股份有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市花都区花东镇先科一路1号
代理机构 ：
广州中浚雄杰知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王拯文
优先权 ：
CN202123263932.X
主分类号 ：
H01L33/38
IPC分类号 ：
H01L33/38
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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