一种半导体二极管封装结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体二极管封装结构，包括外壳，所述外壳的内壁固定安装有散热管，所述散热管的外表面固定连接有第一扎带、第二扎带，所述散热管的内顶壁固定连接有第一散热片，所述散热管的底部固定连接有第三散热片，所述第三散热片的一侧固定连接有二极管，所述二极管的顶端固定连接有第二散热片，且第二散热片的顶端与散热管底部固定连接，所述二极管的一侧固定安装有引脚。本实用新型中，通过设置的散热片，散热管将半导体二极管工作产生的热量吸走，因此二极管工作不会过热损毁，延长了半导体二极管的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体二极管封装结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022236783.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-10
授权号 ：
CN212848480U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
张国俊
申请人 ：
无锡国电资通科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市新吴区硕放振发八路13号
代理机构 ：
无锡智麦知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘咏华
优先权 ：
CN202022236783.7
主分类号 ：
H01L33/64
IPC分类号 ：
H01L33/64 H01L33/58
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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