半导体组件用金焊接线
授权
摘要
提供即使焊接线的线径变细至23μm以下，以有优越真圆度的压焊焊球所形成，且具有能耐焊接线熔流的裂断应力的半导体组件用金(Au)焊接线。一种半导体组件用金焊接线，是以由Au基体及机能性元素而成的Au合金而成，其特征在于，该Au基体含有Be 3～15质量ppm、Ca 3～40质量ppm、La 3～20质量ppm，该Au合金的压焊焊球的真圆度为0.95～1.05。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件用金焊接线
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101065838A
申请号 ：
CN200580040707.4
公开（公告）日 ：
2007-10-31
申请日 ：
2005-11-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
手岛聪三上道孝
申请人 ：
田中电子工业株式会社
申请人地址 ：
日本国东京都
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
周长兴
优先权 ：
CN200580040707.4
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 C22C5/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2009-06-17 ：
授权
2007-12-26 ：
实质审查的生效
2007-10-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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