功率半导体用冷却装置
授权
摘要
本实用新型涉及功率半导体用冷却装置，是以功率半导体为中心在上下部安装有冷却器且所述冷却器之间安装有多个层叠具的功率半导体用冷却装置，所述层叠具由内部形成有空间且中央形成有冷却水通道的上部层叠部件及下部层叠部件对称地接合形成。本实用新型的功率半导体用冷却装置通过在位于冷却器与冷却器之间的层叠具适用另外的构件简化气密结构，能够根据功率半导体的厚度调节冷却器的组装高度，因此不仅能够提高冷却器的组装性及气密性能，还具有能够节省其相关费用的效果。
基本信息
专利标题 ：
功率半导体用冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921784219.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-23
授权号 ：
CN210722999U
授权日 ：
2020-06-09
发明人 ：
朴荣燮
申请人 ：
现代摩比斯株式会社
申请人地址 ：
韩国首尔
代理机构 ：
北京同立钧成知识产权代理有限公司
代理人 ：
延美花
优先权 ：
CN201921784219.X
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/473
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-06-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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