冷却器和半导体装置
公开
摘要
本发明提供冷却器和半导体装置。抑制制冷剂通路的规定部位的局部腐蚀。冷却器(2)包括：顶板(20)，其在一个面形成有散热面(20a)；底板(21)，其与顶板相对配置，厚度大于顶板的厚度；多个散热片(22)，其设于底板；以及周壁部(23)，其形成为沿着底板的外周缘而包围多个散热片的外周。多个散热片和周壁部接合于顶板的散热面。利用由顶板、底板、多个散热片以及周壁部围起来的空间形成制冷剂的流路。顶板侧的电位高于底板侧的电位。
基本信息
专利标题 ：
冷却器和半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114582820A
申请号 ：
CN202111281483.3
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
松泽宪亮小山贵裕乡原广道
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111281483.3
主分类号 ：
H01L23/473
IPC分类号 ：
H01L23/473 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/46
包含有用流动流体传导热的
H01L23/473
通过流动液体的
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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