半导体装置
公开
摘要
本发明提供一种半导体装置。将半导体装置的高度抑制得较低。半导体装置包括：冷却器，其具有底板、配置于底板上多个散热片以及覆盖多个散热片且具有隔着多个散热片而与底板相对的散热面的盖构件，利用由底板、多个散热片以及盖构件围起来的空间形成有冷却水的流路；半导体元件，其经由绝缘基板配置于盖构件的与散热面相反的那一侧的第一面；以及绝缘构件，其配置于冷却器上，密封绝缘基板和半导体元件。盖构件形成有向覆盖多个散热片的部分的外方延伸的板状部，板状部与底板接合。板状部具有第二面。绝缘构件被接合在第二面上。在自底板朝向散热面去的高度方向上，第二面成为高度位置低于第一面的高度位置的面。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373723A
申请号 ：
CN202111018740.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
安达新一郎榎本一雄
申请人 ：
富士电机株式会社
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
刘新宇
优先权 ：
CN202111018740.4
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/473 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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