半导体装置
公开
摘要
本发明提供半导体装置。第一部件包括由单体半导体系的半导体元件构成一部分的第一电子电路。在第一部件设置有第一导体突起。第二部件与第一部件接合。第二部件在俯视时比第一部件小，包括由化合物半导体系的半导体元件构成一部分的第二电子电路。在第二部件设置有第二导体突起。功率放大器包括前级放大电路和后级放大电路。第二电子电路包括后级放大电路。第一电子电路及第二电子电路中的一方包括前级放大电路。第一电子电路包括使输入到从多个接点中选择的一个接点的高频信号输入到前级放大电路的第一开关、控制前级放大电路及后级放大电路的动作的控制电路、使从后级放大电路输出的高频信号从自多个接点中选择的一个接点输出的第二开关。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300426A
申请号 ：
CN202111159512.9
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉见俊二竹松佑二山口幸哉上嶋孝纪后藤聪荒屋敷聪
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN202111159512.9
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/373 H01L23/66
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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