半导体装置
公开
摘要
根据本公开的半导体装置(1)包括半导体芯片(2)、中介层基板(3)和形成部分开口的平面环形形状的晶片接合材料(4)。半导体芯片(2)包括电子电路的集成密度高的区域(23、24、25)和所述集成密度低的区域(22)。所述半导体芯片(2)安装在所述中介层基板(3)上。形成部分开口的平面环形形状的所述晶片接合材料(4)设置在所述中介层基板(3)与所述半导体芯片(2)中的所述集成密度高的区域(23、24、25)之间。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114365267A
申请号 ：
CN202080060189.7
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2020-09-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吉田武史西出勤小林一三豊岛良彦越波进
申请人 ：
索尼半导体解决方案公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王新春
优先权 ：
CN202080060189.7
主分类号 ：
H01L21/52
IPC分类号 ：
H01L21/52 H01L23/10 H01L23/12 H01L23/367 H04N5/225
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/52
半导体在容器中的安装
法律状态
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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