半导体装置及半导体装置的制造方法
实质审查的生效
摘要
目的在于提供对由热应力造成的金属图案的变形进行抑制而使相对于热循环的可靠性提高的半导体装置。半导体装置包含绝缘基板、金属图案、微小化区域及半导体芯片。金属图案设置于绝缘基板的上表面。微小化区域设置于金属图案的表面的至少一部分区域。该微小化区域包含比该表面的至少一部分区域之外的金属图案所包含的金属的晶粒小的晶粒。半导体芯片安装于金属图案的微小化区域。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114391176A
申请号 ：
CN201980100046.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2019-09-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山口义弘大宅大介
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
北京天昊联合知识产权代理有限公司
代理人 ：
何立波
优先权 ：
CN201980100046.1
主分类号 ：
H01L21/58
IPC分类号 ：
H01L21/58 H01L21/52 H01L23/48
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/58
半导体器件在支架上的安装
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/58
申请日 : 20190911
申请日 : 20190911
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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