半导体装置
实质审查的生效
摘要
提供能够实现从晶体管的散热特性的提高的半导体装置。在由半导体构成的基板的表层部之上配置有在俯视时包含至少一个金属区域的粘合层。在粘合层之上配置有半导体元件。半导体元件包含配置在作为粘合层的一个金属区域的第一金属区域之上的第一晶体管。第一晶体管包含与第一金属区域电连接的集电极层、配置在其上的基极层、以及配置在其上的发射极层。在第一晶体管的发射极层之上配置有第一发射极电极。在第一发射极电极之上配置有第一导体突起。基板的表层部的半导体材料的导热率比第一晶体管的集电极层、基极层、以及发射极层的任何一个的导热率都高。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388457A
申请号 ：
CN202111220186.8
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高桥新之助青池将之长谷昌俊播磨史生
申请人 ：
株式会社村田制作所
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭忠健
优先权 ：
CN202111220186.8
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L29/737
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/367
申请日 : 20211020
申请日 : 20211020
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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