半导体装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体装置，包括散热铜片、第一芯片和第二芯片，散热铜片具有用于放置第一芯片的第一放置面和用于放置第二芯片的第二放置面，所述散热铜片上设有用于阻止焊锡料在所述第一放置面与所述第二放置面之间进行流动的阻断槽，阻断槽位于第一放置面和第二放置面之间。本实用新型的半导体装置，通过在散热铜片上设置阻断槽阻隔焊锡料的流动，降低了产品虚焊与锡厚不足风险，提高了产品品质。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922185681.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-09
授权号 ：
CN210984726U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
温世达陶少勇吕磊曹新明
申请人 ：
安徽瑞迪微电子有限公司
申请人地址 ：
安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园1号楼2层209
代理机构 ：
芜湖安汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱顺利
优先权 ：
CN201922185681.4
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
