实施方式提供一种能够抑制经由衬底表面的漏电流产生的半导体装置。根据一实施方式，半导体装置具备第1芯片，所述第1芯片具有：第1衬底；第1晶体管，设置在所述第1衬底上；以及第1焊垫，设置在所述第1晶体管的上方，且与所述第1晶体管电连接。所述装置还具备第2芯片，所述第2芯片具有：第2焊垫，设置在所述第1焊垫上；第2衬底，设置在所述第2焊垫的上方，包含第1及第2扩散层，所述第1及第2扩散层中的任一个电连接于所述第2焊垫；以及分离绝缘膜或分离槽，在所述第2衬底内，至少从所述第2衬底的上表面延伸到下表面将所述第1扩散层与所述第2扩散层之间分离。