半导体装置
授权
摘要
半导体装置具备：引线框(25)；与引线框(25)电连接的半导体元件(8a)的电极(24)；导电性接合层(9a)，设置于引线框(25)与电极(24)之间，接合引线框(25)和电极(24)；以及金属线(22a)，具有与引线框(25)接合的第1端部(21a)及设置于导电性接合层内(9a)的躯体部，躯体部沿着引线框(25)的表面而延伸。即使用导电性接合层接合引线框和半导体元件的电极，也能够减小引线框与半导体元件之间的电阻。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN109168320A
申请号 ：
CN201780024543.9
公开（公告）日 ：
2019-01-08
申请日 ：
2017-04-13
授权号 ：
CN109168320B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
清水悠矢藤野纯司川岛裕史作谷和彦
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
金光华
优先权 ：
CN201780024543.9
主分类号 ：
H01L21/60
IPC分类号 ：
H01L21/60 H01L25/04 H01L25/18
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2019-02-01 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/04
申请日 : 20170413
申请日 : 20170413
2019-01-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
